Badanie optymalnej konstrukcji urządzeń rekonfigurowalnych w nanoskali

Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwi¿kszenie stosunku pr¿du w¿¿czenia do pr¿du wy¿¿czenia. Proponowane urz¿dzenie skutecznie ¿¿czy ró¿ne mechanizmy obni¿ania subthreshold swing (SS). Dzi¿ki zastosowaniu spacerów i z¿¿cza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urz¿dzenia, takie jak g¿sto¿¿ elektryczna, potencjä i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazuj¿, ¿e chociä przek¿adka o wysokim wspó¿czynniku ¿ poprawia wydajno¿¿ urz¿dzenia, tak¿ jak ION, S/S, to wydajno¿¿ urz¿dzenia uleg¿a poprawie i zmniejszy¿y si¿ straty. W istniej¿cym SiNWFET zmniejszenie grubo¿ci tlenku bramki nie jest dobrym pomys¿em, poniewä powoduje to zmniejszenie stosunku pr¿du w¿¿czenia do pr¿du wy¿¿czenia, chociä S/S pozostaje w wi¿kszo¿ci niezmienione. W normalnym FET bez przek¿adki ma on wysoki pr¿d wy¿¿czenia i zwi¿kszony efekt krótkiego kanäu. W istniej¿cym urz¿dzeniu pr¿d wy¿¿czenia jest wi¿kszy, a wydajno¿¿ równie¿ zmniejszona. Przegl¿d, synteza i przeprowadzenie analizy literatury s¿ rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przegl¿du literatury. Dobrze zorganizowany i sformu¿owany przegl¿d najlepiej pokäe wk¿ad i ramy dobrej metodologii.

Pagina's: 60, Paperback, Wydawnictwo Nasza Wiedza