I materiali multiferroici a base di manganese, quali BiMnO¿, YMnO¿, HoMnO¿, TbMnO¿ e altri, hanno suscitato grande interesse per i principi fisici fondamentali su cui si basano e per il loro potenziale in varie applicazioni spintroniche, quali testine di lettura e scrittura, sensori di campo e di temperatura, valvole di spin, filtri di spin, giunzioni a tunnel, diodi a giunzione p-n, dispositivi di memoria non volatile ad accesso casuale (NVRAM) e così via. Al fine di esplorare le varie applicazioni dei multiferroici manganitici drogati e non drogati, su scala nanometrica, la temperatura di sinterizzazione durante il processo di sintesi è il fattore chiave. Questo libro tratta l'effetto della dimensione dei cristalliti sul comportamento dielettrico del multiferroico YMnO drogato con Ca e studia l'effetto indotto dalla temperatura di sinterizzazione dei vuoti di ossigeno sulla permittività dielettrica e sul meccanismo di rilassamento.
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