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Conceção e modelação de FETs GAA nanoestruturados sem junção: GAAs semicondutores compostos junção

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O livro apresenta a conceção e a modelação de FETs sem junção com porta em todo o perímetro (Gate-All-Around), desenvolvidos com semicondutores compostos. Os dispositivos foram concebidos com comprimentos de porta variáveis, desde 20 nm até 10 nm. O trabalho centra-se principalmente nos semicondutores III-V, especialmente em compostos trinários, tais como os nanofios de InGaAs, InGaN e InGaP. É realizada uma análise de parâmetros elétricos para todos os dispositivos, sendo os resultados comparados com os de dispositivos existentes. Além disso, são analisadas a resposta à temperatura e o desempenho dos FETs GAA de nanofios sem junção. O impacto de biomoléculas neutras nos dispositivos de nanofios semicondutores é também analisado para aplicações de biodetecção.

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