Controlo do envelhecimento dos transístores de potência
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Bol
Este livro apresenta um estudo experimental aprofundado do comportamento dos transístores SiC JFET para aplicações aeroespaciais exigentes. É descrita uma metodologia completa, incluindo a conceção de um banco de ensaios automatizado utilizando LabView, testes de robustez para determinar a energia crítica e testes de envelhecimento acelerado para monitorizar as alterações nos parâmetros eléctricos. Os resultados obtidos evidenciam indicadores de degradação fiáveis e abrem perspectivas interessantes para a conceção de sistemas electrónicos mais resistentes em ambientes extremos.
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Este livro apresenta um estudo experimental aprofundado do comportamento dos transístores SiC JFET para aplicações aeroespaciais exigentes. É descrita uma metodologia completa, incluindo a conceção de um banco de ensaios automatizado utilizando LabView, testes de robustez para determinar a energia crítica e testes de envelhecimento acelerado para monitorizar as alterações nos parâmetros eléctricos. Os resultados obtidos evidenciam indicadores de degradação fiáveis e abrem perspectivas interessantes para a conceção de sistemas electrónicos mais resistentes em ambientes extremos.
AmazonPagina's: 88, Paperback, Edições Nosso Conhecimento
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