Dépôt de couches atomiques nitrure gallium haute qualité amélioré par plasma

Ce livre étudie les processus et les méthodes de préparation de films minces de nitrure de gallium de haute qualité sur différents substrats à l'aide de la technologie de dépôt de couches atomiques assisté par plasma. L'introduction d'une couche intermédiaire de nitrure d'aluminium et le prétraitement au plasma d'azote sur des substrats de silicium ont permis de réduire considérablement la teneur en impuretés d'oxygène dans les films et d'améliorer la qualité de l'interface. Sur des substrats de saphir, du nitrure de gallium monocristallin de haute qualité a été épitaxié à basse température par une combinaison de cuisson et de prétraitement au plasma d'azote. Des films de nitrure de gallium polycristallins avec des interfaces nettes ont été directement déposés sur des substrats de quartz, et leur application dans des cellules solaires à pérovskite a entraîné une augmentation substantielle de l'efficacité de conversion. Cette recherche fournit une base expérimentale importante et un soutien méthodologique pour la préparation contrôlable de films minces de nitrure de gallium de haute qualité à basse température et leurs applications dans les dispositifs optoélectroniques.

Pagina's: 128, Paperback, Editions Notre Savoir