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Desenvolvimento, conceção e Análise de um nanossistema hetero estrangulado do tipo II: II

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Bol Este livro investiga o avanço e a análise de FETs de canal cilíndrico com porta completa (CGAA). O estudo explora uma conceção à escala nanométrica que incorpora três camadas tensas ultrafinas: duas camadas exteriores de silício tensas (s-Si) e uma camada intermédia de silício germânio tensas (s-SiGe), formando uma heteroestrutura sobre isolador (HOI) no interior do FET CGAA. Estas camadas deformadas no canal confinam efetivamente os portadores quânticos, aumentando assim a mobilidade dos portadores e reduzindo o roll-off da tensão de limiar.

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Este livro investiga o avanço e a análise de FETs de canal cilíndrico com porta completa (CGAA). O estudo explora uma conceção à escala nanométrica que incorpora três camadas tensas ultrafinas: duas camadas exteriores de silício tensas (s-Si) e uma camada intermédia de silício germânio tensas (s-SiGe), formando uma heteroestrutura sobre isolador (HOI) no interior do FET CGAA. Estas camadas deformadas no canal confinam efetivamente os portadores quânticos, aumentando assim a mobilidade dos portadores e reduzindo o roll-off da tensão de limiar.

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