Développement, conception et Analyse d'un nanosystème hétéro contraint de type II: déformé II
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Ce livre étudie l'avancement et l'analyse des transistors à effet de champ cylindriques à canal déformé (CGAA). L'étude explore une conception à l'échelle nanométrique incorporant trois couches déformées ultrafines : deux couches extérieures de silicium déformé (s-Si) et une couche intermédiaire de silicium germanium déformé (s-SiGe), formant une hétérostructure sur isolant (HOI) au sein du FET CGAA. Ces couches déformées dans le canal confinent efficacement les porteurs quantiques, améliorant ainsi la mobilité des porteurs et réduisant l'abaissement de la tension de seuil.
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Ce livre étudie l'avancement et l'analyse des transistors à effet de champ cylindriques à canal déformé (CGAA). L'étude explore une conception à l'échelle nanométrique incorporant trois couches déformées ultrafines : deux couches extérieures de silicium déformé (s-Si) et une couche intermédiaire de silicium germanium déformé (s-SiGe), formant une hétérostructure sur isolant (HOI) au sein du FET CGAA. Ces couches déformées dans le canal confinent efficacement les porteurs quantiques, améliorant ainsi la mobilité des porteurs et réduisant l'abaissement de la tension de seuil.
AmazonPagina's: 132, Paperback, Editions Notre Savoir
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