Estudiar las características de la nanoestructura silicio preparada mediante PEC: Nanoestructuras

En este trabajo, se fabrica una capa de silicio poroso (PS) con nanoestructuras mediante (PEC) utilizando un diodo láser de 650 nm a diferentes densidades de potencia de iluminación para un sustrato de silicio de tipo n con una resistividad (10 ¿.cm) y HF del 48,5 % y etanol (99 %) (1:1). Se estudian las propiedades morfológicas, ópticas y eléctricas. Estas características se estudian utilizando nuestro modelo matemático que representa las propiedades eléctricas. Las propiedades eléctricas de la capa de silicio poroso se clasifican según las propiedades de la estructura y demostramos que las propiedades eléctricas dependen de la permitividad relativa según esta clasificación. Véase en la baja densidad de potencia la característica J-v que parece no rectificadora y el silicio poroso se comporta como un contacto óhmico, la alta densidad de potencia del láser que produce una unión rectificadora, que se ha comportado como un contacto óhmico y un tiempo de grabado alto que se comporta como una unión (schottky), mientras que a (200 mW/cm2) la unión se comporta como un diodo (heterounión).

Pagina's: 116, Paperback, Ediciones Nuestro Conocimiento