Estudo das propriedades optoelectrónicas ligas HfxSi1 xO2

Neste trabalho, estudámos a estabilidade dinâmica, as propriedades estruturais, eletrónicas e termoelétricas das ligas do tipo HfxSi1-xO2, utilizando o método das ondas planas aumentadas linearizadas com um potencial total (FP-LAPW) no âmbito da teoria da funcional da densidade (DFT) implementada no código Wien2k. O potencial de troca e correlação foi tratado por diferentes aproximações, como GGA. Os resultados eletrónicos que obtivemos mostraram que o HfSi3O8 possui um caráter semicondutor com um gap direto igual a 3,909 eV, utilizando a aproximação GGA. Para os compostos HfSiO4 e Hf3SiO8, os resultados do estudo da estrutura de banda mostram que ambos os compostos são semicondutores com uma lacuna indireta com valores de previsão iguais a 7,2 eV e 5,2 eV para HfSiO4 e Hf3SiO8, respetivamente. As propriedades termoelétricas e a estabilidade dinâmica obtidas indicam que estes compostos são muito rígidos, indeformáveis e altamente ordenados.