Le ZnO est l'un des matériaux les plus importants parmi les oxydes conducteurs transparents (TCO). Le ZnO constitue une classe de matériaux importante sur le plan technologique, présentant des caractéristiques d'atténuation des UV exceptionnelles, bloquant 95 % de l'ensemble du rayonnement UV. Étant donné que la bande interdite du ZnO se situe bien au-dessus du spectre visible, les films préparés sont électriquement conducteurs, ce qui conduit à des applications pour des dispositifs à jonction p-n transparents. Le ZnO présente naturellement une conductivité de type n en raison d'un grand nombre de défauts natifs, tels que des lacunes d'oxygène et des interstitiels de zinc, ce qui rend difficile l'obtention de films minces de ZnO de type p. La difficulté à former un matériau ZnO de type p est due à son effet d'auto-compensation, à son niveau d'accepteur profond et à la faible solubilité des dopants accepteurs. En général, la réalisation d'une conductivité de type p dans un film mince de ZnO peut être rendue possible en substituant des éléments du groupe I (Li, Na, K et Ag) aux sites de Zn, ou des éléments du groupe V (N, P, As, Sb) aux sites de O, ou encore en substituant simultanément des éléments des groupes III et V respectivement aux sites de Zn et de O.
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