Pel�culas finas de sulfureto estanho SnS para aplica��es fotovoltaicas

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Bol Este estudo relata o crescimento de películas finas de sulfureto de estanho utilizando a técnica de deposição por banho químico de baixo custo. É necessário controlar o desenvolvimento das películas finas. Foram efectuadas várias análises, tais como: XRD, SEM, EDS, AFM, espetrofotometria e TSC. Todas estas análises permitiram-nos melhorar as propriedades físicas dos filmes finos de SnS para células solares. Neste contexto, elaborámos filmes finos de sulfureto de estanho utilizados como material absorvente em dispositivos fotovoltaicos. Para tal, foram efectuadas diferentes dopagens com ferro, prata e gálio, bem como um recozimento em atmosfera controlada, com o objetivo de aumentar a condutividade destas películas finas. A dopagem foi efectuada durante o processo de crescimento, adicionando uma concentração relativa de soluções aquosas contendo iões Fe2+; Ag2+ e Ga2+. As propriedades físicas foram investigadas por XRD, AFM, SEM e TSC. Verificou-se posteriormente que as películas finas de SnS dopadas não resultam na diminuição da resistividade. Assim, outras caracterizações físicas estão em curso para otimizar as propriedades das películas finas e particularmente a resistividade através de um tratamento térmico adequado sob atmosfera controlada.

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Este estudo relata o crescimento de películas finas de sulfureto de estanho utilizando a técnica de deposição por banho químico de baixo custo. É necessário controlar o desenvolvimento das películas finas. Foram efectuadas várias análises, tais como: XRD, SEM, EDS, AFM, espetrofotometria e TSC. Todas estas análises permitiram-nos melhorar as propriedades físicas dos filmes finos de SnS para células solares. Neste contexto, elaborámos filmes finos de sulfureto de estanho utilizados como material absorvente em dispositivos fotovoltaicos. Para tal, foram efectuadas diferentes dopagens com ferro, prata e gálio, bem como um recozimento em atmosfera controlada, com o objetivo de aumentar a condutividade destas películas finas. A dopagem foi efectuada durante o processo de crescimento, adicionando uma concentração relativa de soluções aquosas contendo iões Fe2+; Ag2+ e Ga2+. As propriedades físicas foram investigadas por XRD, AFM, SEM e TSC. Verificou-se posteriormente que as películas finas de SnS dopadas não resultam na diminuição da resistividade. Assim, outras caracterizações físicas estão em curso para otimizar as propriedades das películas finas e particularmente a resistividade através de um tratamento térmico adequado sob atmosfera controlada.


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  • 9786208573263
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