P�s e filmes espessos KNN para dispositivos MEMS

Os materiais piezoelétricos sem chumbo ganharam importância devido ao aumento da preocupação ambiental relacionada à presença de chumbo e à legislação subsequente que surgiu, incluindo diretivas como a Diretiva Resíduos de Equipamentos Elétricos e Eletrónicos (WEEE) e a Diretiva Restrição de Substâncias Perigosas (RoHS). Embora tenha havido muitos progressos na produção de materiais a granel sem chumbo, a necessidade de integrar esses materiais piezoelétricos sem chumbo de última geração com substratos para formar microdispositivos funcionais recebeu menos atenção e levanta uma série de desafios. No que diz respeito ao método de síntese de óxido misto a alta temperatura, foi desenvolvido um método simples, económico e robusto de síntese de hidróxido fundido a baixa temperatura (MHS), derivado do método de síntese de sal fundido (MSS), para produzir pós de grão pequeno K0,5Na0,5NbO3 (KNN), sendo um método que se presta facilmente à escala industrial. Foi utilizada uma técnica de formação de película de tinta composta por pó/sol-gel para produzir películas espessas de KNN em substratos de silício. A caracterização das películas produzidas mostrou que estas exibem coeficientes piezoelétricos para material não dopado na região de 30 pC/N.

Pagina's: 68, Paperback, Edições Nosso Conhecimento