Poudres et films épais KNN pour dispositifs MEMS

Les matériaux piézoélectriques sans plomb ont pris de l'importance en raison des préoccupations environnementales croissantes liées à la présence de plomb et de la législation qui en a découlé, notamment les directives relatives aux déchets d'équipements électriques et électroniques (DEEE) et à la limitation de l'utilisation de certaines substances dangereuses (RoHS). Si de nombreux progrès ont été réalisés dans la production de matériaux en vrac sans plomb, la nécessité d'intégrer ces matériaux piézoélectriques sans plomb de nouvelle génération à des substrats pour former des microdispositifs fonctionnels a reçu moins d'attention et soulève un certain nombre de défis. En ce qui concerne la méthode de synthèse d'oxydes mixtes à haute température, une méthode de synthèse d'hydroxyde fondu à basse température (MHS) simple, rentable et robuste, dérivée de la méthode de synthèse de sel fondu (MSS), a été mise au point pour produire des poudres à grains fins de K0,5Na0,5NbO3 (KNN). Cette méthode se prête facilement à une mise à l'échelle industrielle. Une technique de formation de film à base d'encre composite poudre/sol-gel a été utilisée pour produire des films épais de KNN sur des substrats en silicium. La caractérisation des films produits a montré que ceux-ci présentaient des coefficients piézoélectriques pour les matériaux non dopés de l'ordre de 30 pC/N.

Pagina's: 68, Paperback, Editions Notre Savoir