Wydawnictwo Nasza Wiedza

Projektowanie i modelowanie nanostrukturalnych tranzystorów GAA typu FET bez z¿¿cza: Bezstykowe struktury z pó¿przewodników z¿o¿onych

Name: Projektowanie i modelowanie nanostrukturalnych tranzystorów GAA typu FET bez z¿¿cza: Bezstykowe struktury z pó¿przewodników z¿o¿onych
Brand: Wydawnictwo Nasza Wiedza
SKU: 2cfb764a386dcb6fe13fa1acc55f3be1

1/1

Afbeelding van Projektowanie i modelowanie nanostrukturalnych tranzystorów GAA typu FET bez z¿¿cza: Bezstykowe struktury z pó¿przewodników z¿o¿onych

Bol

Prijzen vanaf

66,90

Uitgelicht

	66,90	Naar shop
	120,64	Naar shop
	120,64	Naar shop
VERGELIJK ALLE AANBIEDERS (3)

Beschrijving

Bol Ksi¿¿ka przedstawia projektowanie i modelowanie tranzystorów FET typu "Gate-All-Around" bez z¿¿cza, opracowanych z wykorzystaniem pó¿przewodników z¿o¿onych. Urz¿dzenia zostäy zaprojektowane z d¿ugo¿ciami bramek w zakresie od 20 nm do 10 nm. Praca koncentruje si¿ g¿ównie na pó¿przewodnikach z grupy III-V, a w szczególno¿ci na zwi¿zkach trójsk¿adnikowych, takich jak nanodruty InGaAs, InGaN i InGaP. Dla wszystkich urz¿dze¿ przeprowadzono analiz¿ parametrów elektrycznych i porównano je z istniej¿cymi urz¿dzeniami. Ponadto przeanalizowano zachowanie w funkcji temperatury oraz parametry pracy bezz¿¿czowych tranzystorów GAA z nanodrutami. W kontek¿cie zastosowä w biosensorach przeanalizowano równie¿ wp¿yw neutralnych biomoleku¿ na urz¿dzenia pó¿przewodnikowe oparte na nanodrutach.

Lees meer

Vergelijk aanbieders (3)

Sorteren op:

€ 66,90 Gratis verzending

€ 120,64 € 9,99 verzendkosten Totaal € 130,63

Beschrijving (1)

Ksi¿¿ka przedstawia projektowanie i modelowanie tranzystorów FET typu "Gate-All-Around" bez z¿¿cza, opracowanych z wykorzystaniem pó¿przewodników z¿o¿onych. Urz¿dzenia zostäy zaprojektowane z d¿ugo¿ciami bramek w zakresie od 20 nm do 10 nm. Praca koncentruje si¿ g¿ównie na pó¿przewodnikach z grupy III-V, a w szczególno¿ci na zwi¿zkach trójsk¿adnikowych, takich jak nanodruty InGaAs, InGaN i InGaP. Dla wszystkich urz¿dze¿ przeprowadzono analiz¿ parametrów elektrycznych i porównano je z istniej¿cymi urz¿dzeniami. Ponadto przeanalizowano zachowanie w funkcji temperatury oraz parametry pracy bezz¿¿czowych tranzystorów GAA z nanodrutami. W kontek¿cie zastosowä w biosensorach przeanalizowano równie¿ wp¿yw neutralnych biomoleku¿ na urz¿dzenia pó¿przewodnikowe oparte na nanodrutach.

Lees meer