Síntese e caracterização de MOS-C com nanopontos incorporados para memória não volátil: Uma abordagem inovadora na nanotecnologia

A criação de dispositivos eletrónicos de baixa dimensão tem registado um enorme crescimento no mundo atual. As técnicas de miniaturização têm vindo a ser aperfeiçoadas com o objetivo de preservar as propriedades essenciais dos dispositivos. Os processos envolvidos na fabricação à escala nanométrica são sempre complexos, uma vez que vários efeitos quânticos de escala desempenham um papel importante neste regime. Compreender a física dos sistemas de baixa dimensão e o funcionamento da eletrónica de próxima geração será fundamental para trazer mudanças revolucionárias à humanidade. Os fenómenos relacionados com as nanopartículas foram discutidos, tendo a discussão sido dividida em duas grandes categorias: síntese e caracterização do condensador MOS com nanopartículas incorporadas. Foram observados picos de capacitância na região de inversão, devidos ao tunelamento de portadores para o ponto quântico e ao bloqueio de Coulomb na carga do ponto quântico, o que elucidou os fenómenos de armazenamento de carga das nanopartículas.