Studio ab initio delle leghe di Heusler per sistemi embedded avanzati: Proprietà elettroniche, ottiche ed elastiche

Il presente studio verte sull'analisi delle proprietà strutturali, elettroniche, ottiche ed elastiche delle leghe di Heusler complete di tipo X¿TaSi (dove X = Rb e K), nonché del composto Mn¿HfAl. Sono stati effettuati calcoli ab initio nell'ambito della teoria della funzione di densità (DFT) utilizzando il metodo delle onde piane aumentate linearizzate a potenziale integrale (FP-LAPW). Tutti i calcoli sono stati effettuati utilizzando il codice WIEN2k, adottando l'approssimazione del gradiente generalizzato (GGA), seguita dalla versione modificata di Becke-Johnson (mBJ-GGA) al fine di migliorare la precisione della stima del gap energetico. I risultati elettronici indicano che i composti studiati presentano un comportamento semiconduttivo distinto, determinato dalla struttura delle bande elettroniche. I calcoli ottici, effettuati per i composti K¿TaSi e Rb¿TaSi, rivelano un forte assorbimento e un'elevata riflettività nel campo dell'ultravioletto, suggerendo il loro potenziale per applicazioni ottiche e optoelettroniche in questa gamma spettrale.