Sviluppo, progettazione e Analisi di un nanosistema eterodiretto tipo II: del II
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Questo libro studia l'avanzamento e l'analisi dei FET cilindrici a canale teso (CGAA). Lo studio esplora un progetto su scala nanometrica che incorpora tre strati ultra-sottili sottoposti a deformazione: due strati esterni di silicio deformato (s-Si) e uno strato centrale di germanio deformato (s-SiGe), che formano un'eterostruttura su isolante (HOI) all'interno del FET CGAA. Questi strati tesi nel canale confinano efficacemente i portatori quantici, migliorando la mobilità dei portatori e riducendo il roll-off della tensione di soglia.
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Questo libro studia l'avanzamento e l'analisi dei FET cilindrici a canale teso (CGAA). Lo studio esplora un progetto su scala nanometrica che incorpora tre strati ultra-sottili sottoposti a deformazione: due strati esterni di silicio deformato (s-Si) e uno strato centrale di germanio deformato (s-SiGe), che formano un'eterostruttura su isolante (HOI) all'interno del FET CGAA. Questi strati tesi nel canale confinano efficacemente i portatori quantici, migliorando la mobilità dei portatori e riducendo il roll-off della tensione di soglia.
AmazonPagina's: 128, Paperback, Edizioni Sapienza
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