Synteza i charakterystyka uk¿adów MOS-C z wbudowanymi nanokropkami do zastosowa¿ w pami¿ciach NVM

W dzisiejszym ¿wiecie znacznie wzros¿o zainteresowanie tworzeniem urz¿dze¿ elektronicznych o ni¿szych wymiarach. Techniki miniaturyzacji zostäy udoskonalone w celu zachowania doskonäych w¿äciwo¿ci tych urz¿dze¿. Procesy stosowane w produkcji w skali nano s¿ zawsze skomplikowane, poniewä w tym zakresie istotn¿ rol¿ odgrywaj¿ ró¿ne efekty wielko¿ci kwantowej. Zrozumienie fizyki uk¿adów niskowymiarowych oraz dziäania elektroniki nowej generacji pomo¿e w wprowadzeniu rewolucyjnych zmian dla ludzko¿ci. Omówiono zjawiska zwi¿zane z nanocz¿stkami, dziel¿c dyskusj¿ na dwie szerokie kategorie: syntez¿ i charakterystyk¿ kondensatora MOS z wbudowanymi nanocz¿stkami. Zaobserwowano szczyty pojemno¿ci w obszarze inwersji spowodowane tunelowaniem no¿ników do kropki kwantowej oraz ¿adowanie blokady kulombowskiej w kropce kwantowej, co wyjäni¿o zjawisko magazynowania ¿adunku przez nanocz¿stki.