Synthèse et caractérisation de circuits MOS-C intégrant des nanodots pour la mémoire non volatile: Une approche innovante en nanotechnologie

La mise au point de dispositifs électroniques de faible dimension a connu un essor considérable au cours des dernières années. Les techniques de miniaturisation ont été perfectionnées afin de préserver les propriétés essentielles des dispositifs. Les procédés utilisés pour la fabrication à l'échelle nanométrique sont toujours complexes, car divers effets de taille quantique jouent un rôle important à ce niveau. La compréhension de la physique des systèmes de faible dimension et du fonctionnement de l'électronique de nouvelle génération contribuera à apporter des changements révolutionnaires à l'humanité. Les phénomènes liés aux nanoparticules ont été abordés, et la discussion a été divisée en deux grandes catégories : la synthèse et la caractérisation du condensateur MOS à nanoparticules intégrées. Des pics de capacité dans la région d'inversion, dus au tunneling des porteurs dans le point quantique et à la charge par blocage de Coulomb dans le point quantique, ont été observés, ce qui a permis d'élucider les phénomènes de stockage de charge des nanoparticules.