Wzmocnione plazmowo osadzanie warstw atomowych wysokiej jako¿ci azotku galu

Niniejsza ksi¿¿ka bada procesy i metody przygotowywania wysokiej jako¿ci cienkich warstw azotku galu na ró¿nych pod¿o¿ach przy u¿yciu technologii osadzania warstw atomowych ze wspomaganiem plazmowym. Dzi¿ki wprowadzeniu mi¿dzywarstwy azotku glinu i wst¿pnej obróbce plazm¿ azotow¿ na pod¿o¿ach krzemowych, zawarto¿¿ zanieczyszcze¿ tlenem w warstwach zostäa znacznie zmniejszona, a jako¿¿ interfejsu uleg¿a poprawie. Na pod¿o¿ach szafirowych, wysokiej jako¿ci monokrystaliczny azotek galu zostä epitaksjalnie wyhodowany w niskich temperaturach poprzez po¿¿czenie wypalania i wst¿pnej obróbki plazm¿ azotow¿. Polikrystaliczne warstwy azotku galu z ostrymi interfejsami zostäy bezpo¿rednio osadzone na pod¿o¿ach kwarcowych, a ich zastosowanie w perowskitowych ogniwach s¿onecznych doprowadzi¿o do znacznego wzrostu wydajno¿ci konwersji. Badania te stanowi¿ wän¿ podstaw¿ eksperymentaln¿ i wsparcie metodologiczne dla kontrolowanego przygotowania niskotemperaturowych, wysokiej jako¿ci cienkich warstw azotku galu i ich zastosowä w urz¿dzeniach optoelektronicznych.