ZnO do tipo P como material multifuncional para dispositivos optoeletrónicos

O ZnO é um dos membros mais importantes dos materiais de óxido condutor transparente (TCO). O ZnO constitui uma classe de materiais tecnologicamente importante, apresentando características excecionais de atenuação de UV, bloqueando 95% de toda a radiação UV. Uma vez que o intervalo de banda do ZnO se situa bem acima da região visível, as películas preparadas são eletricamente condutoras, o que está a levar à sua aplicação em dispositivos de junção p-n transparentes. O ZnO apresenta naturalmente condutividade do tipo n devido a um grande número de defeitos nativos, tais como vagas de oxigénio e intersticiais de zinco, o que leva à dificuldade em obter filmes finos de ZnO do tipo p. A dificuldade na formação de material de ZnO do tipo p deve-se ao seu efeito de autocompensação, ao nível profundo de aceitadores e à baixa solubilidade dos dopantes aceitadores. Geralmente, a obtenção de condutividade do tipo p em filmes finos de ZnO pode ser possível através da substituição de elementos do grupo I (Li, Na, K e Ag) pelos sítios de Zn, ou de elementos do grupo V (N, P, As, Sb) pelos sítios de O, ou ainda através da substituição simultânea de elementos dos grupos III e V pelos sítios de Zn e O, respetivamente.