Deposizione atomica a plasma di nitruro gallio alta qualità

Questo libro studia i processi e i metodi per la preparazione di film sottili di nitruro di gallio di alta qualità su diversi substrati, utilizzando la tecnologia di deposizione atomica di strati al plasma. Introducendo un interstrato di nitruro di alluminio e un pretrattamento al plasma di azoto su substrati di silicio, il contenuto di impurità di ossigeno nei film è stato significativamente ridotto e la qualità dell'interfaccia è stata migliorata. Su substrati di zaffiro, il nitruro di gallio monocristallino di alta qualità è stato coltivato epitassialmente a basse temperature attraverso una combinazione di cottura e pretrattamento al plasma di azoto. Film policristallini di nitruro di gallio con interfacce nitide sono stati depositati direttamente su substrati di quarzo e la loro applicazione in celle solari a perovskite ha portato a un sostanziale aumento dell'efficienza di conversione. Questa ricerca fornisce importanti basi sperimentali e supporto metodologico per la preparazione controllabile di film sottili di nitruro di gallio a bassa temperatura e di alta qualità e per le loro applicazioni in dispositivi optoelettronici.

Pagina's: 128, Paperback, Edizioni Sapienza