Die Grundlagen von dreischichtigen HOI MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium Heterostrukturen auf Isolator Technologie

1/1
Afbeelding van Die Grundlagen von dreischichtigen HOI MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium Heterostrukturen auf Isolator Technologie
Bol
Prijzen vanaf
65,99

Uitgelicht

VERGELIJK ALLE AANBIEDERS (3)

Beschrijving

Die Grundlagen von dreischichtigen HOI MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium Heterostrukturen auf Isolator Technologie

Description Beschrijving
Product Specifications Productspecificaties
Price History Prijshistorie
Gerelateerde resultaten Gerelateerde resultaten
Next
Previous

Vergelijk aanbieders (3)

Shop
Prijs
Verzendkosten
Totale prijs
Bol Logo
65,99
Gratis
65,99
Naar shop
Gratis Shipping Costs
Amazon Logo
66,90
Gratis
66,90
Naar shop
Gratis Shipping Costs
Amazon Marketplace Logo
66,90
Gratis
66,90
Naar shop
Gratis Shipping Costs
Beschrijving (0)

Die Grundlagen von dreischichtigen HOI MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium Heterostrukturen auf Isolator Technologie

Productspecificaties

Merk Verlag Unser Wissen
EAN
  • 9786209842955
Maat

Prijshistorie

* Prijshistorie bevat geen data van Amazon, Amazon Marketplace.

Prijzen voor het laatst bijgewerkt op:

Gründung von Wissenschaft und Technologie im Nanobereich

64,90
Meer informatie Meer info

Charakterisierung und Simulation von Silizium Photomultipliern im Hinblick auf zeitkritische Applikationen

51,50
Meer informatie Meer info

Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich

43,99
Meer informatie Meer info

Die Bedeutung von Silizium für Reis

67,99
Vergelijk 3 shops 3 shops
Uitgelichte Keuze
65,99
Naar shop