Dreischichtiges Heterostruktur-auf-Isolator-System für FETs im Nanobereich: Neue Technologien Nanobauteile, Band I

Das Buch befasst sich mit der Entwicklung neuer Strukturen in Nanomaterialsystemen unter Verwendung einer dreischichtigen Heterostruktur-Technologie zur Implementierung in MOS-Bauelementen. Es wurde eine Technologie für ein System mit verspanntem Kanal entwickelt und eingeführt, das auf molekularer Ebene aus Schichten wie verspanntem Si/verspanntem SiGe/verspanntem Si besteht, wobei der Verspannungseffekt für den Typ-II-Bandausrichtungsmechanismus, der in die dünne Kanalschicht eines FET eingebracht wird, detailliert untersucht und analysiert wurde. Damit wurde die Entwicklung des dreischichtigen Heterostruktur-auf-Isolator-Systems (HOI) etabliert. Nach der Integration dieses HOI-Kanalsystems in einen herkömmlichen MOSFET wurden die Bauteilleistungen anhand elektrischer Parameter, des Bandverspannungseffekts, des elektrischen Feldes, des Geschwindigkeitsüberschwings, der Mobilität und weiterer Faktoren analysiert. Es wurde eine erhebliche Erhöhung der Elektronenbeweglichkeit im Zusammenhang mit der Ladungsträgeranreicherung beobachtet, was zu einem höheren Drainstrom führte; somit wurde für den HOI-NanoFET mit einer Kanallänge von 30 nm eine Leistungssteigerung von 93 % im Vergleich zu den bestehenden MOSFETs aus verspanntem Si/SiGe mit einer Gate-Länge von 50 nm erzielt.