Ma�trise des contraintes dans les h�t�rostructures opto�lectroniques

Le développement des technologies optoélectroniques repose sur la maîtrise des propriétés des matériaux semi-conducteurs et l'ingénierie des hétérostructures. Les alliages III-V, en particulier In¿Al¿¿¿As, offrent une grande flexibilité d'ingénierie de bande, mais leur intégration sur GaAs soulève des enjeux liés aux contraintes épitaxiales. Cet ouvrage analyse la maîtrise de ces contraintes dans les hétérostructures In¿Al¿¿¿As/GaAs à travers une approche combinant modélisation théorique et caractérisations optiques, notamment par photoluminescence et spectroscopie Raman. Il s'inscrit dans une perspective fondamentale et applicative, visant l'optimisation de dispositifs optoélectroniques à haute performance.

Pagina's: 76, Paperback, Éditions universitaires européennes