Physics of Semiconductor Devices
Beschrijving
De vierde editie van de "Physics of Semiconductor Devices" biedt een uitgebreide en gedetailleerde referentie over de fundamentele fysica en operationele kenmerken van belangrijke halfgeleiderapparaten. Dit standaardwerk blijft de toonaangevende bron in het veld en is geheel herzien en uitgebreid. Het bevat ongeveer 1.000 referenties naar originele onderzoeksartikelen en reviewartikelen, meer dan 650 hoogwaardige technische illustraties en meer dan twee dozijn tabellen van materiaaleigenschappen.
Inhoud en Structuur
De tekst is verdeeld in vijf delen:
- Samenvatting van Halbleidereigenschappen: Dit deel behandelt belangrijke onderwerpen zoals energiebanden, ladingsdragerconcentratie en transporteigenschappen.
- Basisbouwstenen van Halfgeleiderapparaten: Hier worden de belangrijkste elementen besproken, waaronder p-n-juncties, metaal-halfgeleidercontacten en metaal-insulator-halfgeleider (MIS) condensatoren.
- Bipolaire Transistoren en FET's: In dit deel worden bipolaire transistors, MOSFET's (MOS-veld-effecttransistors) en andere veld-effecttransistoren zoals JFET's (junction field-effect transistors) en MESFET's (metaal-halfgeleider veld-effecttransistors) behandeld.
- Negatieve Weerstands- en Vermogenapparaten: Dit gedeelte richt zich op apparaten die negatieve weerstandseigenschappen vertonen evenals op vermogenstoepassingen.
- Photonic Devices en Sensoren: De tekst sluit af met fotonische apparaten en sensoren, waaronder licht-emitterende diodes (LED's), zonnecellen en verschillende fotodetectoren en halfgeleider sensoren.
Modernisering en Actualisatie
Deze vierde editie biedt praktische fundamenten die noodzakelijk zijn voor het begrijpen van de momenteel gebruikte apparaten en het evalueren van de prestaties en beperkingen van toekomstige technologieën. De informatie is volledig bijgewerkt en herzien, rekening houdend met de recente avances in apparaatconcepten, prestaties en toepassingen. Nieuwe thema's van hedendaagse belangstelling worden besproken, zoals negatieve capacitance en tunneling FET's, 3D-flashgeheugen, GaN-modulatie-gemengde FET's, en tussenbandzonnecellen.
Aanvullende Informatie
De tekst bevat talrijke opgaven, praktijkvoorbeelden, tabellen, figuren en illustraties, evenals verschillende nuttige appendices en een gedetailleerde oplossingenhandleiding die uitsluitend voor docenten is bedoeld. Bovendien wordt er nieuwe informatie over baanbrekende technologieën zoals MODFET's, resonant-tunneling diodes, quantum-cascade lasers en single-electron transistors verkend.
"Physics of Semiconductor Devices, Fourth Edition" is een onmisbare bron voor apparaatingenieurs, onderzoekswetenschappers, industriële en elektronische engineeringmanagers, en afgestudeerde studenten in het veld.
Beschrijving
De vierde editie van de "Physics of Semiconductor Devices" biedt een uitgebreide en gedetailleerde referentie over de fundamentele fysica en operationele kenmerken van belangrijke halfgeleiderapparaten. Dit standaardwerk blijft de toonaangevende bron in het veld en is geheel herzien en uitgebreid. Het bevat ongeveer 1.000 referenties naar originele onderzoeksartikelen en reviewartikelen, meer dan 650 hoogwaardige technische illustraties en meer dan twee dozijn tabellen van materiaaleigenschappen.
Inhoud en Structuur
De tekst is verdeeld in vijf delen:
- Samenvatting van Halbleidereigenschappen: Dit deel behandelt belangrijke onderwerpen zoals energiebanden, ladingsdragerconcentratie en transporteigenschappen.
- Basisbouwstenen van Halfgeleiderapparaten: Hier worden de belangrijkste elementen besproken, waaronder p-n-juncties, metaal-halfgeleidercontacten en metaal-insulator-halfgeleider (MIS) condensatoren.
- Bipolaire Transistoren en FET's: In dit deel worden bipolaire transistors, MOSFET's (MOS-veld-effecttransistors) en andere veld-effecttransistoren zoals JFET's (junction field-effect transistors) en MESFET's (metaal-halfgeleider veld-effecttransistors) behandeld.
- Negatieve Weerstands- en Vermogenapparaten: Dit gedeelte richt zich op apparaten die negatieve weerstandseigenschappen vertonen evenals op vermogenstoepassingen.
- Photonic Devices en Sensoren: De tekst sluit af met fotonische apparaten en sensoren, waaronder licht-emitterende diodes (LED's), zonnecellen en verschillende fotodetectoren en halfgeleider sensoren.
Modernisering en Actualisatie
Deze vierde editie biedt praktische fundamenten die noodzakelijk zijn voor het begrijpen van de momenteel gebruikte apparaten en het evalueren van de prestaties en beperkingen van toekomstige technologieën. De informatie is volledig bijgewerkt en herzien, rekening houdend met de recente avances in apparaatconcepten, prestaties en toepassingen. Nieuwe thema's van hedendaagse belangstelling worden besproken, zoals negatieve capacitance en tunneling FET's, 3D-flashgeheugen, GaN-modulatie-gemengde FET's, en tussenbandzonnecellen.
Aanvullende Informatie
De tekst bevat talrijke opgaven, praktijkvoorbeelden, tabellen, figuren en illustraties, evenals verschillende nuttige appendices en een gedetailleerde oplossingenhandleiding die uitsluitend voor docenten is bedoeld. Bovendien wordt er nieuwe informatie over baanbrekende technologieën zoals MODFET's, resonant-tunneling diodes, quantum-cascade lasers en single-electron transistors verkend.
"Physics of Semiconductor Devices, Fourth Edition" is een onmisbare bron voor apparaatingenieurs, onderzoekswetenschappers, industriële en elektronische engineeringmanagers, en afgestudeerde studenten in het veld.
Productspecificaties
| Merk | Wiley |
|---|---|
| EAN |
|
| Maat |
|
Prijshistorie
Prijzen voor het laatst bijgewerkt op:
Gerelateerde producten
Naar shop
