PROJEKTOWANIE I WYTWARZANIE CIENKOWARSTWOWYCH TRANZYSTORÓW METALOIDALNYCH

W niniejszej pracy metal i metaloid zostäy wytworzone na szklanym pod¿o¿u jako próbki cienkowarstwowe, a ich zachowanie elektryczne okazäo si¿ podobne do cienkowarstwowego tranzystora polowego. Styki metalowe (Al/Cu) i kanä metaloidowy (Se) zostäy wykorzystane jako tranzystor polowy na szklanym pod¿o¿u poprzez osadzenie metalowych styków ¿ród¿a, drenu i bramki górnej. Przep¿yw no¿ników ze ¿ród¿a do drenu mo¿e by¿ kontrolowany za pomoc¿ metalowej bramki Schottky'ego. Pr¿d kanäu by¿ kontrolowany przez warstw¿ zubo¿on¿ o zmiennej szeroko¿ci poprzez styk metalowy, co modulowäo grubo¿¿ kanäu przewodz¿cego. ¿ród¿o i dren struktury FET zostäy zdefiniowane przez warstwy metalu Al lub Cu, które by¿y kolejno osadzane na Se w okre¿lonych wzorach styków metod¿ odparowania termicznego przy u¿yciu jednostki powlekania pró¿niowego. Okre¿lono ich w¿äciwo¿ci elektryczne. Urz¿dzenie s¿u¿y do sterowania pr¿dem mi¿dzy drenem a ¿ród¿em przy ró¿nym potencjale mi¿dzy bramk¿ a ¿ród¿em ($V_{GS}$), wywo¿uj¿c akumulacj¿ ¿adunku swobodnego na z¿¿czu metal-pó¿przewodnik. Cienkie warstwy selenku glinu zostäy wy¿arzone w temperaturach 50°C i 100°C, co potwierdzono dyfrakcj¿ rentgenowsk¿ i spektroskopi¿ optyczn¿.