Rozpylanie krysztalów PbTe i ponowne osadzanie rozpylonych cząstek

Rozwäono zjawisko rozpylania bocznych powierzchni krysztäów PbTe wyhodowanych ze stopu metod¿ Bridgmana za pomoc¿ plazmy argonowej w warunkach wtórnej neutralnej spektrometrii masowej. Przedstawiono nowe zjawiska - aperiodyczne oscylacje szybko¿ci rozpylania Pb i Te, ogromn¿ przewag¿ rozpylania Te osi¿gaj¿c¿ ponad dwa rz¿dy wielko¿ci na pocz¿tku procesu rozpylania oraz znaczny nadmiar zintegrowanej wydajno¿ci rozpylania Te w stosunku do Pb w przypadku d¿ugotrwäego rozpylania plazm¿ o niskiej energii (50-160 eV). Wykazano korelacje mi¿dzy cechami rozpylania powierzchni krysztäów PbTe a procesami ponownego osadzania si¿ rozpylanych cz¿stek na powierzchni rozpylaj¿cej. Stwierdzono, ¿e tworzenie si¿ i ponowne rozpylanie subkrytycznych j¿der nowej fazy prowadzi do oscylacji wydajno¿ci rozpylania Pb i Te. Tworzenie si¿ ponownie napylanych struktur powierzchniowych o rozmiarach przekraczaj¿cych rozmiary krytyczne prowadzi do zmian ¿rednich wielko¿ci wydajno¿ci napylania Pb i Te. Osobliwo¿ci stanów näadowania mi¿dzycz¿steczkowego Pb i Te w matrycy krysztäu PbTe powoduj¿ ogromne preferencyjne napylanie Te przez wi¿zki jonów Ar+ o niskiej energii.