Zaawansowane badania ab initio stopów Heuslera dla systemów wbudowanych: W¿a¿ciwo¿ci elektroniczne, optyczne i spr¿¿yste

Niniejsze badanie dotyczy analizy w¿äciwo¿ci strukturalnych, elektronicznych, optycznych i spr¿¿ystych stopów Heuslera typu X¿TaSi (gdzie X = Rb i K), a tak¿e zwi¿zku Mn¿HfAl. Obliczenia ab initio przeprowadzono w ramach teorii funkcjonalnej g¿sto¿ci (DFT) z wykorzystaniem metody liniaryzowanych fal p¿askich o zintegrowanym potencjale (FP-LAPW). Wszystkie obliczenia przeprowadzono przy u¿yciu kodu WIEN2k, stosuj¿c aproksymacj¿ uogólnionego gradientu (GGA), a nast¿pnie zmodyfikowan¿ wersj¿ Becke-Johnsona (mBJ-GGA) w celu poprawy dok¿adno¿ci oszacowania luki energetycznej. Wyniki badä elektronowych wskazuj¿, ¿e badane zwi¿zki wykazuj¿ wyräne w¿äciwo¿ci pó¿przewodnikowe, determinowane przez struktur¿ pasm elektronowych. Obliczenia optyczne, przeprowadzone dla zwi¿zków K¿TaSi i Rb¿TaSi, ujawniaj¿ siln¿ absorpcj¿ oraz wysokie wspó¿czynnik odbicia w zakresie ultrafioletu, co sugeruje ich potencjä do zastosowä optycznych i optoelektronicznych w tym pämie spektralnym.